光耦可控硅：
晶闸管，又称可控硅（单向scr、双向bcr）是一种4层的（pnpn）三端器件。在电子技术和工业控制中，被派作整流和电子开关等用场。在这里，介绍它们的基本特性和几种典型应用电路。
1、锁存器电路。
图1是一种由继电器j、电源（＋12v）、开关k1和微动开关k2组成的锁存器电路。当电源开关k1闭合时，因j回路中的开关k2和其触点j－1是断开的，继电器j不工作，其触点j－2也未闭合，所以电珠l不亮。一旦人工触动一下k2，j得电激活，对应的触点j－1、j－2闭合，l点亮。此时微动开关k2不再起作用（已自锁）。要使电珠l熄灭，只有断开电源开关k1使继电器释放，电珠l才会熄灭。所以该电路具有锁存器（j－1自锁）的功能。
图2电路是用单向可控硅scr代替图1中的继电器j，仍可完成图1的锁存器功能，即开关k1闭合时，电路不工作，电珠l不亮。当触动一下微动开关k2时，scr因电源电压通过r1对门极加电而被触发导通且自锁，l点亮，此时k2不再起作用，要使l熄灭，只有断开k1。由此可见，图2电路也具有锁存器的功能。
图2与图1虽然都具有锁存器功能，但它们的工作条件仍有区别：
（1）图1的锁存功能是利用继电器触点的闭合维持其j线圈和l的电流，但图2中，是利用scr自身导通完成锁存功能。
（2）图1的j与控制器件l完全处于隔离状态，但图2中的scr与l不能隔离。所以在实际应用电路中，常把图1和图2电路混合使用，完成所需的锁存器功能。
2、单向可控硅scr振荡器。
图3电路是利用scr的锁存性制作的低频振荡器电路。
图中的扬声器ls（8ω／0．5w）作为振荡器的负载。当电路接上电源时，由于电源通过r1对c1充电，初始时，c1电压很低，a、b端的电位器w的分压不能触发scr，scr不导通。当c1充得电压达到一定值时，a、b端电压升高，scr被触发而导通。一旦scr导通，电容器c1通过scr和ls放电，结果a、b
端的电压又下降，当a、b端电压下降到很低时，又使scr截止，一旦scr截止，电容器c1又通过r1充电，这种充放电过程反复进行形成电路的振荡，此时ls发出响声。电路中的w可用来调节scr门极电压的大小，以达到控制振荡器的频率变化。按图中元件数据，c1取值为0．22～4μf，电路均可正常工作。
3、scr半波整流稳压电源。
如图4电路，是一种输出电压为＋12v的稳压电源。
该电路的特点是变压器b将220v的电压变换为低压（16～20v），采用单向可控硅scr半波整流。scr的门极g从r1、d1和d2的回路中的c点取出约13．4v的电压作为scr门阴间的偏置电压。电容器c1起滤波和储能作用。在输出cd端可获得约＋12v的稳压。
电路工作时，当a点低压交流为正半周时，scr导通对c1充电。当充电电压接近c点电压或交流输入负半周时，scr截止，所以c1上充得电压（即输出端cd）不会高于c点的稳压值。只有储能电容c1输出端对负载放电，其电压低于c点电压时，在a点的正半周电压才会给c1即时补充充电，以维持输出电压的稳定。图4电路与电池配合已成功用于某设备作后备电源。该稳压电源，按图中参数其输出电流可达2～3a。
4、scr全波整流稳压电源。
上述的半波整流稳压电源，其缺点是电源的效率低，其纹波也较大。图5的scr全波整流稳压电源，完全克服了上述的缺点。该电路的输出电压也为12v（也可改接成其他电压输出）。该电路实际是由图4的两个半波整流和稳压电路组合而成。d1、scr1、d4等工作在交流的正半周；d2、scr2、d6等工作在交流的负半周，他们共同向输出的c、d端提供电流。电路中的d3、d5起隔离作用，即d3是防止a点交流负半周时，其电流通过r1；d5是防止a点交流正半周时，其电流通过r2的。电路的其他工作过程与上期图4相同。
晶闸管，又称可控硅（单向scr、双向bcr）是一种4层的（pnpn）三端器件。在电子技术和工业控制中，被派作整流和电子开关等用场。在这里，介绍它们的基本特性和几种典型应用电路。
1、锁存器电路。
图1是一种由继电器j、电源（＋12v）、开关k1和微动开关k2组成的锁存器电路。当电源开关k1闭合时，因j回路中的开关k2和其触点j－1是断开的，继电器j不工作，其触点j－2也未闭合，所以电珠l不亮。一旦人工触动一下k2，j得电激活，对应的触点j－1、j－2闭合，l点亮。此时微动开关k2不再起作用（已自锁）。要使电珠l熄灭，只有断开电源开关k1使继电器释放，电珠l才会熄灭。所以该电路具有锁存器（j－1自锁）的功能。
图2电路是用单向可控硅scr代替图1中的继电器j，仍可完成图1的锁存器功能，即开关k1闭合时，电路不工作，电珠l不亮。当触动一下微动开关k2时，scr因电源电压通过r1对门极加电而被触发导通且自锁，l点亮，此时k2不再起作用，要使l熄灭，只有断开k1。由此可见，图2电路也具有锁存器的功能。
图2与图1虽然都具有锁存器功能，但它们的工作条件仍有区别：
（1）图1的锁存功能是利用继电器触点的闭合维持其j线圈和l的电流，但图2中，是利用scr自身导通完成锁存功能。
（2）图1的j与控制器件l完全处于隔离状态，但图2中的scr与l不能隔离。所以在实际应用电路中，常把图1和图2电路混合使用，完成所需的锁存器功能。
2、单向可控硅scr振荡器。
图3电路是利用scr的锁存性制作的低频振荡器电路。
图中的扬声器ls（8ω／0．5w）作为振荡器的负载。当电路接上电源时，由于电源通过r1对c1充电，初始时，c1电压很低，a、b端的电位器w的分压不能触发scr，scr不导通。当c1充得电压达到一定值时，a、b端电压升高，scr被触发而导通。一旦scr导通，电容器c1通过scr和ls放电，结果a、b
端的电压又下降，当a、b端电压下降到很低时，又使scr截止，一旦scr截止，电容器c1又通过r1充电，这种充放电过程反复进行形成电路的振荡，此时ls发出响声。电路中的w可用来调节scr门极电压的大小，以达到控制振荡器的频率变化。按图中元件数据，c1取值为0．22～4μf，电路均可正常工作。
3、scr半波整流稳压电源。
如图4电路，是一种输出电压为＋12v的稳压电源。
该电路的特点是变压器b将220v的电压变换为低压（16～20v），采用单向可控硅scr半波整流。scr的门极g从r1、d1和d2的回路中的c点取出约13．4v的电压作为scr门阴间的偏置电压。电容器c1起滤波和储能作用。在输出cd端可获得约＋12v的稳压。
电路工作时，当a点低压交流为正半周时，scr导通对c1充电。当充电电压接近c点电压或交流输入负半周时，scr截止，所以c1上充得电压（即输出端cd）不会高于c点的稳压值。只有储能电容c1输出端对负载放电，其电压低于c点电压时，在a点的正半周电压才会给c1即时补充充电，以维持输出电压的稳定。图4电路与电池配合已成功用于某设备作后备电源。该稳压电源，按图中参数其输出电流可达2～3a。
4、scr全波整流稳压电源。
上述的半波整流稳压电源，其缺点是电源的效率低，其纹波也较大。图5的scr全波整流稳压电源，完全克服了上述的缺点。该电路的输出电压也为12v（也可改接成其他电压输出）。该电路实际是由图4的两个半波整流和稳压电路组合而成。d1、scr1、d4等工作在交流的正半周；d2、scr2、d6等工作在交流的负半周，他们共同向输出的c、d端提供电流。电路中的d3、d5起隔离作用，即d3是防止a点交流负半周时，其电流通过r1；d5是防止a点交流正半周时，其电流通过r2的。电路的其他工作过程与上期图4相同。
温馨提示：内容为网友见解，仅供参考
第1个回答 推荐于2017-09-04
光耦可控硅其实就是光电耦合器+可控硅组成的电路，作用类似于继电器。
光电耦合器（简称光耦）是开关电源电路中常用的器件。光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。
常用的4N系列光耦属于非线性光耦
常用的线性光耦是PC817A—C系列。
非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于弄开关信号的传输，不适合于传输模拟量。
线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。
开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。同时电源带负载能力下降。
在彩电，显示器等开关电源维修中如果光耦损坏，一定要用线性光耦代换。
光电耦合器（简称光耦）是开关电源电路中常用的器件。光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。
常用的4N系列光耦属于非线性光耦
常用的线性光耦是PC817A—C系列。
非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于弄开关信号的传输，不适合于传输模拟量。
线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。
开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。同时电源带负载能力下降。
在彩电，显示器等开关电源维修中如果光耦损坏，一定要用线性光耦代换。
第2个回答 推荐于2017-10-15
光电耦合器（简称光耦）是开关电源电路中常用的器件。光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。
常用的4N系列光耦属于非线性光耦
常用的线性光耦是PC817A—C系列。
非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于弄开关信号的传输，不适合于传输模拟量。
线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。
开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。同时电源带负载能力下降。
在彩电，显示器等开关电源维修中如果光耦损坏，一定要用线性光耦代换。
常用的4脚线性光耦有PC817A----C。PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有：TLP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。
常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的，因为这4种光耦均属于非线性光耦。
可控硅
晶闸管是晶体闸流管(Thyristor)的简称，俗称可控硅，它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。
可控硅具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
一、可控硅的种类
可控硅有多种分类方法。
（一）按关断、导通及控制方式分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅（GTO）、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。
（二）按引脚和极性分类：可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。
（三）按封装形式分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中，金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。
（四）按电流容量分类：可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。通常，大功率可控硅多采用金属壳封装，而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。
(五）按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。本回答被提问者采纳
常用的4N系列光耦属于非线性光耦
常用的线性光耦是PC817A—C系列。
非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于弄开关信号的传输，不适合于传输模拟量。
线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。
开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。同时电源带负载能力下降。
在彩电，显示器等开关电源维修中如果光耦损坏，一定要用线性光耦代换。
常用的4脚线性光耦有PC817A----C。PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有：TLP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。
常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的，因为这4种光耦均属于非线性光耦。
可控硅
晶闸管是晶体闸流管(Thyristor)的简称，俗称可控硅，它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。
可控硅具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
一、可控硅的种类
可控硅有多种分类方法。
（一）按关断、导通及控制方式分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅（GTO）、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。
（二）按引脚和极性分类：可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。
（三）按封装形式分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中，金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。
（四）按电流容量分类：可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。通常，大功率可控硅多采用金属壳封装，而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。
(五）按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。本回答被提问者采纳
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