三极管和场效应管怎么区分？

如题所述

现在越来越多的电子电路都在使用场效应管,
特别是在音响领域更是如此,场效应管与晶体管不同,它是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件),其特性更象电子管,它具有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小,其结构简图如图C-a.<BR>
场效应管是一种单极型晶体管,它只有一个P-N结,在零偏压的状态下,它是导通的,如果在其栅极(G)和源极(S)之间加上一个反向偏压(称栅极偏压)在反向电场作用下P-N变厚(称耗尽区)沟道变窄,其漏极电流将变小,(如图C1-b),反向偏压达到一定时,耗尽区将完全沟道"夹断",此时,场效应管进入截止状态如图C-c,此时的反向偏压我们称之为夹断电压,用Vpo表示,它与栅极电压Vgs和漏源电压Vds之间可近以表示为Vpo=Vps+|Vgs|,这里|Vgs|是Vgs的绝对值.<BR>
在制造场效应管时,如果在栅极材料加入之前,在沟道上先加上一层很薄的绝缘层的话,则将会大大地减小栅极电流,也大大地增加其输入阻抗,由于这一绝缘层的存在,场效应管可工作在正的偏置状态,我们称这种场效应管为绝缘栅型场效应管,又称MOS场效应管,所以场效应管有两种类型,一种是绝缘栅型场效应管,它可工作在反向偏置,零偏置和正向偏置状态,一种是结型栅型效应管,它只能工作在反向偏置状态.<BR>绝缘栅型场效应管又分为增强型和耗尽型两种,我们称在正常情况下导通的为耗尽型场效应管,在正常情况下断开的称增强型效应管.增强型场效应管特点:当Vgs=0时Id(漏极电流)=0,只有当Vgs增加到某一个值时才开始导通,有漏极电流产生.并称开始出现漏极电流时的栅源电压Vgs为开启电压.<BR>耗尽型场效应管的特点,它可以在正或负的栅源电压(正或负偏压)下工作,而且栅极上基本无栅流(非常高的输入电阻).<BR>
结型栅场效应管应用的电路可以使用绝缘栅型场效应管,但绝缘栅增强型场效管应用的电路不能用结型
栅场效应管代
回答什么是三极管首先要先从什么是半导体开始。半导体其实也可以算是绝缘体，但是它与绝缘体的区别在于，（以下市能带论内容，不必完全理解，直到大概意思就行了）绝缘体禁带宽度要比半导体近代宽度大不少！所以，价带的电子不容易激发到导带，所以不导电，而半导体因为禁带宽度小，所以价带电子容易进入导带成为导电电子。所以半导体成为了重要的电学材料。
以上是稍微的一点背景介绍。
半导体（一般用的），分为n型半导体和p型半导体，n型半导体一般就是在本征半导体（纯净的无缺陷的半导体）中掺5族元素，如磷、砷等；p型半导体一般是在本征半导体中掺3族元素，如硼。
三极管就是两层p型半导体中间夹着一层n型半导体，或者两层n型半导体中间夹着一层p型半导体，三层半导体分别引出电极，这就形成了一个三极管。
但是有一点要注意，这三层半导体材料不是很随便就可以的，要满足一定的厚度，掺杂浓度，等等~~
以下是三极管放大的原理（一般情况三极管都是用来放大的，下面是我以前回答别人时的答案，
其实不是三极管本身具有放大（功率放大）功能，而是三极管基级与直流电源相连，由直流电源提供功率放大所需的能量。
基级电流很小，但是由它引起的集电极电流变化却很大（主要针对npn管，pnp管放大能力相对弱），至于为什么能使集电极电流变化很大，最好看一下晶体管原理对晶体管内部电流的分析。有图是最好的，否则光靠文字说，不太好理解。
再补充一点，从载流子角度来说，基级电流相当于提供发射极电流在基区复合掉的那部分，而发射极电流在流经基区时，有很少一部分与基区载流子复合（从晶体管结构来说，基区掺杂很低，也就是载流子浓度低，所以复合少），那么也就是说发射极电路损失少，那么基级电流补充的也就少，即基级电流很小。
发射极电流既然大部分都免于复合，那么就到达了集电极，成为集电极电流，这部分相对于复合的部分来说是很大的。这样从外部看，三极管就有了放大作用~
表达还是不是很清楚，请见谅~~
当然三极管还有可能只利用发射结或者集电结当作二极管用，一般都是在集成电路中~~

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