在工作状态下，pnp型三极管,e,b,c三者之间的电位关系是怎样的

是不是b点电位高于e点电点高于c点电位，是这样吗

PNP型三极管在工作状态下，e,b,c三者之间的电位关系为：e点电位高于b点电位高于c点电位，即Uc＜Ub＜Ue；

C极为负电压，E极为最高电位。不论管子在何种电压下工作，放大三极管的Ub与Ue之差很小，锗管为－0.2V，硅管为－0.6V。

PNP型三极管发射极电位最高,集电极电位最低,UBE<0。

扩展资料：

工作原理：

晶体三极管按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，

下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。

对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。

当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。

在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，

这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）基极区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，

但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。

由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，

被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得：Ie=Ib+Ic。

参考资料来源：百度百科—PNP型三极管

参考资料来源：百度百科—三极管