三极管饱和态的一点理解

对这个图， 大部分书上的分析过程都是Ic = Ib x 放大系数， Ic x RC 大于VCC， 然后反推出此时处于饱和态；
个人感觉这种讲法很是误导人（至少我就一直纠结在这里）， 其实三极管的IC有个最大值， 大于这个最大值了就饱和了， 也就是说是否饱和， 这是三极管本身的特性， 和外接电路是没关系的； 书上的那种讲法就好象是否饱和是外部电路来决定的；
举个例子， 我设法将加在RC上的VCC换成100V的， RB上的电压还是用5V（暂不考虑烧坏）， 那你按树上的去算， 看能否得出Ic x Rc 》 VCC？？
所以说， 其实分析三极管的工作状态， 还是得先看其本身的特性， 不要像我一样一开始就把什么都理想化， 一味的套公式， 那走入误区后会本末倒置， 很纠结的。

不知道我的理解是否正确？

三极管饱和条件是什么
三极管的饱和条件是指当基极电流（输入电流）足够大时，通过集电极和发射极之间的电流也能够达到最大值，此时三极管处于饱和状态。3. 饱和状态电流的特点 当三极管处于饱和状态时，集电极电流（输出电流）达到最大值。此时，三极管几乎没有起到放大作用，因为输出电流和输入电流之间的关系是一对一的。4. 饱...

三极管的饱和状态
一方面。三极管的饱和状态也就是三极管的输出电流饱和——输出电流不随输入电流而改变的一种状态，即输出电流恒定、只决定于输出回路的电源电压和负载电阻的一种状态。因此，在饱和状态时仍有电流通过正偏的集电结。另一方面，从三极管由放大状态进入饱和状态的过程来看：放大状态时，在输入电流驱动下，使得...

三极管的饱和状态请简单点说一下谢谢
饱和就是一种状态（对应的是三极管输出特性曲线中的一块区域），不过饱和严格的说是一个过程，有程度深浅之分。对于小功率三极管而言，一般在UCE<1V开始逐步进入饱和，到0.7V（UBEQ）可以认为是完全进入饱和，0.2-0.3V就是深度饱和了。

三极管的饱和是什么意思?
因此，三极管的饱和状态被定义为“集电极-发射极间电压取最小值时，三极管的电流增加到最大值的状态”。三极管饱和是实现数字逻辑、控制和放大的重要部分。例如，在数字逻辑中，三极管用于连接数字电路、开关和放大器等。在这方面，三极管饱和的作用是开关状态转移和串行\/并行转换的快速转变。同时，三极管也可...

三极管饱和状态简单解释
三极管饱和状态的简单解释 三极管的饱和状态，是当发射结正偏，发射区的大量电子被拉至P区。在集电结的电场作用下，这些电子容易流向集电区，形成集电电流Ic。当Ic不足以消耗从发射区拉到P区的电子时，P区电子过剩，理论上P区变为N型半导体，集电结消失。在这种情况下，电子流直接从发射区通过发射...

三极管饱和电流是什么意思?
对NPN型管子来说，饱和就是指单位时间内发射极发送过来的电子太多了，这些电子越过基区，在被集电极收集时供过于求了，集电极在单位时间内收集不完这些电子，只能用它最大的速度去收集，这个最大收集速度就是集电极饱和电流。对于同一个管子，集电极收集电子的能力取决于集电结的电压Ucb（就是Uc-Ub），...

通俗理解晶体三极管之“饱和”状态
“饱和开通”与“截止关闭”状态在开关应用中较为常见。通俗理解“饱和开通”：当“供”（集电极电压Vc与集电极电阻Rc）无法满足“求”（基极电压Vb与基极电阻Rb以及放大倍数β）时，三极管处于饱和开通状态。实际应用中，通常忽略Vce，将Vb视为约1V。通过集电极电压Vcc与集电极电阻Rc提供的最大供应电流与...

对于三极管饱和状态的理解
饱和的条件：1.集电极和电源之间有电阻存在，且越大就越容易管子饱和；2.基集电流比较大以使集电极的电阻把集电极的电源拉得很低，从而出现b较c电压高的情况。影响饱和的因素：1.集电极电阻：越大越容易饱和；2.三极管的放大倍数：放大倍数越大越容易饱和；3.基集电流的大小。饱和后的现象：1.基极的...

什么是三极管饱和状态
三极管饱和状态下的特点:要使三极管处于饱和状态，必须基极电流足够大，即IB≥IBS。三极管在饱和时，集电极与发射极间的饱和电压（UCES）很小，根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE＝EC－ICRC，所以IBS＝ICS／β＝EC－UCES／β≈EC／βRC。三极管饱和时，基极电流很大，对硅管来说，发射结的饱和压降UB...

三极管的三种工作状态究竟该怎么理解
集电极电位Uc也比基极电位低。正是由于集电结正向偏置三极管的饱和压降Uces才小于同样材料的二极管的导通电压。发射结正向偏置也好，反向偏置也罢，都好理解，因为是“人为”加上去的，集电结在饱和状态时处于正向偏置就不好理解了，但这是事实存在。(第一行前的空格保持不住，服务商的软件须完善。)