2、主要看耐压、开关速度和导通电阻。本回答被网友采纳
一文帮你搞定MOS管选型、图文结合、帮你快速搞定MOS管选型
选择MOS管时需考虑以下关键参数：栅极阈值电压（VGSth）、漏源导通电阻（RDS(on)）、连续漏极电流（ID）、脉冲漏极电流（ID脉冲）、栅源电压（VGS）、漏源电压（VDS）、功耗、工作和储存温度、热特性、动态特性、栅极平台电压（Vplateau）、雪崩能量、安全工作区、电流应力、电压应力。VGSth是MOS管导通...
MOS管选型需关注的重要参数
在选型注意事项上，需根据电路需求选择N沟道或P沟道，确保VDS足够大以保护MOS管，额定电流要考虑尖峰电流，同时注意导通损耗和温度对RDS(ON)的影响。最后，开关性能、功率耗散和热管理也是不可忽视的因素。MOS管的参数如Vds、Rds(on)、ld等，每个都有其特定含义，需根据产品手册理解并考虑在实际应用中的...
选择mos管需要考虑那些参数?
这个主要是看你用在什么上面，然后根据你的应用选择参数。一般来说，考虑的参数是Vds，Ids以及Rds这三个，还有有的会考虑Ciss这个参数的，希望能帮到你。还有其他疑问的话，可以选择追问
用于AC-DC开关电源的高压MOS管要怎么选?
主要参数 1.开启电压VT；·又称阈值电压；源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的N沟道MOS管，VT约为3~6V;2. 直流输入电阻RGS：栅源极之间加的电压与栅极电流之比，·特性有时以流过栅极的栅流表示，·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。3. 漏源击穿电压BVDS：在增加漏源...
MOS管封装与参数有着怎样的关系,如何选择合适封装的MOS管
晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 1 kV Id-连续漏极电流: 1.85 A Rds On-漏源导通电阻: 8.5 Ohms Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V Vgs - 栅极-源极电压: 10 V Qg-栅极电荷: 16 nC 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功率耗散: 70 W 配置: Single 通...
如何选mos管
关于RDS（ON）电阻的各种电 气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。3. 选择MOS管的下一步是系统的散热要求。须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据...
请教MOS管,大家常说多少安培的MOS,耐压多少伏特的MOS,具体是指MOS管的...
1、耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。2、还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。你的补充基本正确，但最大电流一处有错，MOS管的电流参数很多时候厂家会给出连续电流，短时间电流和峰值电流，泛指最大电流不是很恰当，所以在应用时要根据应用的实际情况，认真...
半导体MOS管数据知多少?
MOS导通电阻随结温升高呈正温度系数变化，数据手册通常绘有当VGS=10V时，导通电阻随温度变化的曲线。电容容量值小，栅极总充电电量QG小，开关速度快，开关损耗小，适用于开关电源DC\/DC变换器等。MOS管通常包含一个寄生二极管，提供保护，特性与普通二极管相同，具有正向导通特性。最大安全工作区是电压与电流...
MOSFET主要参数什么意思?
Mosfet参数含义说明 Features:Vds： DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压 Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻 Id： 最大DS电流.会随温度的升高而降低 Vgs: 最大GS电压.一般为：-20V~+20V Idm: 最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低，体现一个...
【电子知识点】MOS管重要参数-02
Qg是栅极总充电电量，MOSFET驱动过程为栅极电压建立，通过栅源及栅漏之间结电容充电实现。Qgs是栅源充电电量，Qgd是栅漏充电量，考虑到Miller效应。Td(on)是从输入GS电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时间，Tr是输出电压VDS从90%下降到其幅值10%的时间。Td(off)是从输入GS电压下降到90%开始...
