BIOS高手请进!!!!

进入BIOS不管是在那一项设置中,只要一按下F1就会有一个常规的帮助菜单,我有些搞不懂部分:
+/-/PU/PD:Value
F1:General
F5:Previous Values
F7:Optimized Defaults
F6:fail-safe Defaults
F9:Menu in BIOS
分别按前面的那些键是什么意思啊,我搞不懂,请高手解释一下啊!!先谢了!!!

一．Main(标准设定)
此菜单可对基本的系统配置进行设定。如时间，日期等

legacy （传统的，遗传的） Diskette (磁碟，软碟) A

Primary 主要的，首先的/Secondary 次要的，第二的IDE Master 主盘/Slave 从盘
是从主IDE装置如果你的主板支持SATA接口就会有Third/Fourth IDE Mastert或者更多，他们分别管理例电脑里面各个IDE驱动装置的，如硬盘，光驱等等！因为各个主板的设置不同，所以在此就不详细解说这里的设置了，但是这些一般不用用户自己去设置，一般用默认的就可以。

IDE Configuration 配置、结构 系统基本硬件设置

System Information
这是显示系统基本硬件信息的，没有什么好讲（如图）

UTILITY 效用、实用。

Processor 处理器

System Memory 内存信息

二．Advanced（进阶设置）
这里就是Bios的核心设置了,新手一定要小心的设置，因为其直接关系系统的稳定和硬件的安全，千万不可以盲目乱设！

“JumperFree Configuration CPU内存参数设置”
Chipset 芯片组设定
Onboard Devices (装置) Configuration 集成硬件装置设定
PCIPnP PCI装置设定
Instant 立刻的、瞬间产生的 Music Configuration 开机音乐播放设定

overclock 频率AI Overclock Tumer 智能CPU频率设定

VCore 核心 Voltage 电压
DDR Reference 参考、附注 Voltage 内存电压设置

Hyper Threading Technology 超线程开关

fan 风扇
Chassis fan speed 机箱风扇转速

SDRAM CAS# Latency 潜伏 潜在（SDRAM CAS#延迟）

Configure SDRAM Timing by
设置决定SDRAM 的时钟设置是否由读取内存模组上的SPD (SerialPresence Detect) EEPROM 内容决定。设置为Enabled将根据SPD自动设置其中的项目，如果你把其选项选择未为Disabled，则会出现以下项目： SDRAM CAS# Latency, DRAM RAS＃ Precharge, DRAM RAS＃ to CAS Delay,DRAM precharge Delay和DRAM Burst Length。如果您对芯片组不熟悉请不要修改这些设定。
SDRAM CAS# Latency（SDRAM CAS#延迟）
项控制在SDRAM接受并开始读指令后的延迟时间(在时钟周期内) 的。设定值为：2, 2.5, 3.0 (clocks)。值越小则性能越强！但是稳定性相对下降！
DRAM RAS＃ Precharge（Precharge命令延时）
本项目控制当SDREM送出Precharge命令后，多少时间内不再送出命令。设定值有：4，3，2(clocks)
RAS to CAS Delay（RAS至CAS的延迟）
当DRAM 刷新后，所有的行列都要分离寻址。此项设定允许您决定从RAS (行地址滤波) 转换到CAS (列地址滤波)的延迟时间。更小的时钟周期会使DRAM有更快的性能表现。设定值有：4，3，2(clocks)
DRAM precharge Delay（脉冲周期）
这个设置是用来控制提供给SDRAM参数使用的SDRAM时钟周期！设定值有：8，7，6，5，(clocks)
SDRAM Burst Length（SDRAM爆发存取长度）
此设置允许你设置DRAM爆发存取长度的大小。爆发特征是DRAM在获得第一个地址后自己预测下一个存取内存位置的技术。使用此特性，你必须要定义爆发长度，也就是开始地址爆发脉冲的实际长度。同时允许内部地址计数器能正确的产生下一个地址位置。尺寸越大内存越快。设定值： 4，8(clocks)。

温馨提示：内容为网友见解，仅供参考

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