三极管饱和状态理解

饱和时,为什么相当于一个闭合开关,希望详细解释一下,
然后就是饱和状态是由于Ib过大使得Ic增大至最大,还是由于vb》vc导致的。
当vb》vc时俩个np结正偏,电流不是都是由p流向n吗?这样电流怎么形成回路呢?ic方向是怎么样的呢?
可以举几个具体应用例子吗?

在共发电路中,当三极管保持在饱和状态时,Uce的值最小,也不会随基极电流而变化,电源电压似乎都加在集电极负载上,所以此时的三极管可视为一个受控开关;
饱和状态是由于Ib过大而使得Ic无法同步比例增大,只能维持在一个极限值的状态;
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三极管的饱和状态
一方面。三极管的饱和状态也就是三极管的输出电流饱和——输出电流不随输入电流而改变的一种状态,即输出电流恒定、只决定于输出回路的电源电压和负载电阻的一种状态。因此,在饱和状态时仍有电流通过正偏的集电结。另一方面,从三极管由放大状态进入饱和状态的过程来看:放大状态时,在输入电流驱动下,使得...

三极管的饱和是什么意思?
因此,三极管的饱和状态被定义为“集电极-发射极间电压取最小值时,三极管的电流增加到最大值的状态”。三极管饱和是实现数字逻辑、控制和放大的重要部分。例如,在数字逻辑中,三极管用于连接数字电路、开关和放大器等。在这方面,三极管饱和的作用是开关状态转移和串行\/并行转换的快速转变。同时,三极管也可...

什么是三极管饱和状态
要使三极管处于饱和状态,必须基极电流足够大,即IB≥IBS。三极管在饱和时,集电极与发射极间的饱和电压(UCES)很小,根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE=EC-ICRC,所以IBS=ICS/β=EC-UCES/β≈EC/βRC。三极管饱和时,基极电流很大,对硅管来说,发射结的饱和压降UBES=0.7V(锗管UBES...

三极管的饱和状态是什么?
ggg饱和状态是指三极管两端电压基本不变(很低),集电极电流与基极电流已经严重偏离IC=B*IB的关系,一般此时的放大倍数只小于5,饱和状态不一定发生在大电流情况下,任何集电极电流下都可进入饱和区,只要集电极电压降到足够小,就进入饱和状态.

通俗理解晶体三极管之“饱和”状态
“饱和开通”与“截止关闭”状态在开关应用中较为常见。通俗理解“饱和开通”:当“供”(集电极电压Vc与集电极电阻Rc)无法满足“求”(基极电压Vb与基极电阻Rb以及放大倍数β)时,三极管处于饱和开通状态。实际应用中,通常忽略Vce,将Vb视为约1V。通过集电极电压Vcc与集电极电阻Rc提供的最大供应电流与...

对于三极管饱和状态的理解
基集电流比较大以使集电极的电阻把集电极的电源拉得很低,从而出现b较c电压高的情况。影响饱和的因素:1.集电极电阻:越大越容易饱和;2.三极管的放大倍数:放大倍数越大越容易饱和;3.基集电流的大小。饱和后的现象:1.基极的电压大于集电极的电压;2.集电极的电压为0.3伏左右,基极为0.7伏左右。

三极管的饱和状态请简单点说一下谢谢
饱和就是一种状态(对应的是三极管输出特性曲线中的一块区域),不过饱和严格的说是一个过程,有程度深浅之分。对于小功率三极管而言,一般在UCE<1V开始逐步进入饱和,到0.7V(UBEQ)可以认为是完全进入饱和,0.2-0.3V就是深度饱和了。

三极管饱和状态简单解释
三极管饱和状态的简单解释 三极管的饱和状态,是当发射结正偏,发射区的大量电子被拉至P区。在集电结的电场作用下,这些电子容易流向集电区,形成集电电流Ic。当Ic不足以消耗从发射区拉到P区的电子时,P区电子过剩,理论上P区变为N型半导体,集电结消失。在这种情况下,电子流直接从发射区通过发射...

三极管饱和电流是什么意思?
首先要弄清饱和是什么意思?(以下默认三极管工作时发射结都是正偏的,非截止)对NPN型管子来说,饱和就是指单位时间内发射极发送过来的电子太多了,这些电子越过基区,在被集电极收集时供过于求了,集电极在单位时间内收集不完这些电子,只能用它最大的速度去收集,这个最大收集速度就是集电极饱和电流。

三极管的三种工作状态究竟该怎么理解
集电极电位Uc也比基极电位低。正是由于集电结正向偏置三极管的饱和压降Uces才小于同样材料的二极管的导通电压。发射结正向偏置也好,反向偏置也罢,都好理解,因为是“人为”加上去的,集电结在饱和状态时处于正向偏置就不好理解了,但这是事实存在。(第一行前的空格保持不住,服务商的软件须完善。)

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