详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中“晶体管的工作状态”的有关说明。
如何使PNP三极管VCE变为0
在PNP晶体管按共发射极组态进行放大工作时（发射结正偏，集电结反偏），当增大发射极电流到一定程度时即可使VCE变为0，即晶体管进入临界饱和状态。若再进一步增大发射极电流，将可使集电结正偏（VCE变为正）。详见“http:\/\/blog.163.com\/xmx028@126\/”中“晶体管的工作状态”的有关说明。
请帮帮忙解释PNP开关电路的工作原理,万分感激!!!
欲如此就必须使Vin达到够高的准位,以驱动三极管使其进入饱和工作区工作,三极管呈饱和状态时,集电 极电流相当大,几乎使得整个电源电压Vcc均跨在负载电阻上,如此则VcE便接近于0,而使三极管的集电极和射极几乎呈短路。在理想状况下,根据奥姆定律 三极管呈饱和时,其集电极电流应该为﹕因此,基极电流最少应为: (式1)上...
如何使三极管工作于开关状态
三极管工作在开关状态，就是饱和导通和截止两个状态，截止会吧，饱和导通，让基极电流够大，导通后Vce=0。其实，就是给三极管基极加方波信号，即脉冲信号，就会工作在开关状态了。
NPN和PNP三极管的放大截止饱和条件
NPN和PNP三极管的放大截止饱和条件分别是：截止状态：三极管基极不加偏置电压或是加反向偏置电压，使BE极截止，基极电流IB=0，因为IC=β IB，所以IC=IE=0，此时CE极之间相当于断路，负载无电流。饱和状态：当三极管之基极加入驶大的电流时，因为IC≒IE=β×IB，射极和集极的电流亦非常大，此时，集电...
温度升高,为什么三极管Vce降低
引起三极管的穿透电流增大（IC增大）,从而引起三极管Vce降低.集电极电流中包括一小部分穿透电流。穿透电流的大小与管子本身有关，还与管子温度有关，温度升高则变大。集电极电流变大后，集电极电阻上的压降变大，在电源电压固定的条件下，Vce只能变小。be内是PN结，温度升高，PN结正向压降下降是它的特性。
三极管基极偏执电阻怎么设置?
可以根据集电极饱和电流确定偏置电阻。如图。饱和电流 VCC\/R1=5MA 假设三极管放大倍数为100，那么饱和时基极电流为50UA，那么此时基极电阻应为VCC\/50UA=100K。这是一个临界值。大于此值，电流不会饱和，处于放大状态，小于此值，电流就会饱和了，三极管可以工作在开关状态，。图中，三极管就是开关了！三极...
三极管导通以后,各极的电压发生怎样的变化
NPN（饱和）:Vbe=0.7V,Vce=0.2~0.3V。PNP（饱和）:Veb=0.3V,Vec=0.2~0.3V，非饱和状态无法判断。
温度升高,为什么三极管Vce降低
简单的道理：温度升高，引起三极管的穿透电流增大（IC增大），从而引起三极管Vce降低。
关于三极管的相关计算
6-0.8V条件，三极管基极b没有电流流过，也就没有Ic和Ie。c：此管可以判断为饱和状态，因为Vc-Ve=0.3V，当b极有输入信号时，Vce没有变化的范围，即当Vb增加时Vce不会再减小。右图：三极管处于放大状态，判断方法同上。Ie=3.8v÷Re。Ic=(12-8)÷Rc:。Vce=8-3.8=4.2V ...
关于三极管的三个问题
为方便讨论，以下我们对图2中所示的各个部分的名称直接采用与三极管相应的名称（如“发射结”，“集电极”等）。再看示意图2，图中最下面的发射区N型半导体内电子作为多数载流子大量存在，而且，如图2中所示，要将发射区的电子注入或者说是发射到P区（基区）是很容易的，只要使发射结正偏（约为0.7伏...
