PN结的正偏和正向导通是一个概念吗?
反偏只要加反向电压就可以,但是正偏呢?是只要加正向电压就可以还是需要达到某个个程度,就好象正向导通的话硅管0.7V
三极管饱和条件是发射结集电结都正偏,可是看资料好象有的说Uce值是0.4V
哪个可以给出明确说明吗?
pn结的正偏指p端的电势相对n端的要高。比如2V对1V ，1V对0V，0V对－1V等
正向导通是指在正偏的情况下两端电压（电势差）达到或超过pn结的导通电压，形成电流通路，也就是你说的硅管正向导通电压0.7V，而锗管的是0.3V左右。
相对于正向到通，pn结还有会反向的导通，就是两断在反偏情况下反偏电压达到或超过一定值时pn结会因击穿而导通。
三极管饱和条件是发射结集电结都正偏，正偏是发射极和集电结都相对基极说的。
以npn管为例，Ube = 0.7V,Uce=0.4V,假如e接地，则B=0.7V,C=0.4V,可见发射结集电结都正偏了。当基极电流达到了一值后使流过发射结和集电结的电流不能再增大，就是饱和。一般集电结是通过串联一电阻连接电源的，电源一定，电流增大，电阻分压就大，而集电结上的电压就下降，所以会相对基极正偏。
正向导通是指在正偏的情况下两端电压（电势差）达到或超过pn结的导通电压，形成电流通路，也就是你说的硅管正向导通电压0.7V，而锗管的是0.3V左右。
相对于正向到通，pn结还有会反向的导通，就是两断在反偏情况下反偏电压达到或超过一定值时pn结会因击穿而导通。
三极管饱和条件是发射结集电结都正偏，正偏是发射极和集电结都相对基极说的。
以npn管为例，Ube = 0.7V,Uce=0.4V,假如e接地，则B=0.7V,C=0.4V,可见发射结集电结都正偏了。当基极电流达到了一值后使流过发射结和集电结的电流不能再增大，就是饱和。一般集电结是通过串联一电阻连接电源的，电源一定，电流增大，电阻分压就大，而集电结上的电压就下降，所以会相对基极正偏。
温馨提示：内容为网友见解，仅供参考
第1个回答 2015-12-31
PN结的正偏和正向导通不是一个概念。
1、PN结的正偏是一种连接方式，正向导通则是在正偏这种连接方式上形成电流通路。
2、当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。在电子电路中将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。
3、把电源的电压的正极与P区引出端相连，负极与N极引出端相连时，称PN结正向偏置，简称PN结正偏。正向导通是指在正偏的情况下两端电压（电势差）达到或超过PN结的导通电压，形成电流通路。
采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。
1、PN结的正偏是一种连接方式，正向导通则是在正偏这种连接方式上形成电流通路。
2、当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。在电子电路中将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。
3、把电源的电压的正极与P区引出端相连，负极与N极引出端相连时，称PN结正向偏置，简称PN结正偏。正向导通是指在正偏的情况下两端电压（电势差）达到或超过PN结的导通电压，形成电流通路。
采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。
第2个回答 2015-12-22
PN结的导通就是在PN结上外加一电压 ，如果P型一边接正极 ，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，甚至消失，电流可以顺利通过。
如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。这是PN结的截止.因此PN结具用单向导电性。
如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。这是PN结的截止.因此PN结具用单向导电性。
第3个回答 2010-05-19
正偏就是加正向电压。要求电压到某个值是二极管工作所需要的门坎电压，但PN节不等同于二极管。
让三极管具有放大作用的条件是发射极正偏，集电极反偏。
让三极管具有放大作用的条件是发射极正偏，集电极反偏。
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