三极管嘛，不就是放大Ib（基极）电流。
Ube电压增大的时候，根据三极管输入特性曲线，Ib会增大
按三极管放大的特性，这时候Ic也应该增大
但是，由于集电结电压太大（处于饱和区时），导致Ic
大到把发射区的电子全部收集到集电区，从而使
Ube增大下的Ib增大，而不能使Ic增大，这就是
因为在此状态下，发射区的电子大部分都被收集
到集电区，Ic在Ib增大的情况下而不能发挥三极
管的作用使Ic增大，这就是Ic达到饱和了。
所以把这个区域叫饱和区。
BJT三极管的饱和区为什么叫饱和区?是什么饱和了?感觉这个名字有些怪
管的作用使Ic增大，这就是Ic达到饱和了。所以把这个区域叫饱和区。
BJT三极管的饱和区为什么叫饱和区?是什么饱和了?感觉这个名字有些怪
你把三极管想成水龙头的模型，基极注入电流只是控制水龙头的拧开程度，那么你家的水龙头有个最大程度吧 在拧就拧不动了，也就是说基极注入一点电流 水龙头打开一点 自来水流的也越来越多 但是当你基极注入电流达到一个值时，你的水龙头拧到底了 自来水只能流出这么多了 这就是饱和 明白了吗 ...
三极管饱和区的“饱和”是指什么饱和?为什么要叫饱和呢?
在晶体三极管中,发射结正偏,集电结也正偏,集电极电流不受基极电流控制的区域,就是晶体管饱和区。在此区域内，VCE<VBE，βIB>IC，VCE≈0.3V 。当三极管的集电结电流Ic增大到一定程度时，再增大Ib，Ic也不会增大，进入饱和区。饱和时，Ic最大，集电极和发射之间的内阻最小，电压Uce只有0.1V~0.3...
为什么三极管(BJT)的饱和区和场效应管(MOSFET)的饱和区不同?
总结来说，BJT的饱和区依赖于载流子浓度的调控，而MOSFET的饱和区则关注载流子速度的饱和效应。两者虽然都是晶体管，但根据不同的物理机制，各自在电路设计中扮演着不同的角色，为电子设备的多样应用提供了可能。
三极管输出特性曲线的饱和区是什么意识?
饱和需要分两种情况来考虑，其一是管子自身放大倍数小达到极限能力后，无法再继续放大，通俗说就是小马拉大车;还有一种就是电源能量提供不足，管子放大能力却很强，从而造成另一种大马拉小车的情况，这两种情况都会使得管子处于饱和状态。在本图中这个饱和的确是电流被放到最大的情况，此时即便输入电流继续...
3级管的饱和区 是什么意思
三极管饱和时的确是基极电压高于其它两个极，三极管主要是电流控制原件，基极电流控制集电极电流，当基极电流增大时，集电极电流也快速增大，那么集电极上的电阻降压也越大，集电极电流过大，集电极上的电阻降压过大时，最终导致集电极电压低于基极，就是我们所说的饱和电通。集电极接的是电源电压，电压几乎全部...
三极管饱和区
1、过于在意“极电结正偏”了。其实，在饱和区，即便是极电结正偏，也还没有达到极电结的正向导通电压。不过，一般人都会被“正偏”误导。2、饱和的含义：集电极电流是随着基极电流的增大而增大的，当集电极电流增大到一定程度时，再增加基极电流，集电极电流不再随着增加了，这种现象就叫做饱和。而“...
为啥FET工作在饱和区,BJT工作在放大区?
其实，三极管的放大区，也是一种电流饱和的区域。为什么不把放大区叫饱和区呢？这也许是约定俗称的原因。因为三极管也有一个饱和区。这个饱和区其实应该叫做“（电流正在）饱和区”。下面是我对三极管饱和区的理解：饱和区并不是说管子已经饱和了的区域，而是管子正在饱和的区域。饱和是相对于集电极电流来说...
三极管的放大区,截止区,饱和区是什么意思?
三极管的三种状态也叫三个工作区域，即：截止区、放大区和饱和区。(1)、截止区：三极管工作在截止状态，当发射结电压Ube小于0.6—0.7V的导通电压，发射结没有导通集电结处于反向偏置，没有放大作用。(2)、放大区：三极管的发射极加正向电压，集电极加反向电压导通后，Ib控制Ic，Ic与Ib近似于线性关系...
三极管 饱和区
于是净流入集电结N区的电子逐渐增多，即随着Vce的增大，Ic逐渐增大。“饱和区”可以理解为集电极在饱和性地吸收电子，因为放大区里发射极的电子不够集电极吸收，也就是没有饱和性吸收电子。广大被模电折磨的学友们，应该明白了吧！fuck!fuck!fuck! 花了我那么长时间才弄明白，草 ...
