为什么硅二极管的死区电压比锗二极管的死区电压大？

为什么硅二极管的死区电压比锗二极管的死区电压大?
与锗相比，硅原子对电子的吸引力更大一些，使电子离开硅原子核需要的能量也就更大一些。

为什么硅二极管的死区电压比锗二极管的死区电压大?
所以Ge管开启电压更低。

硅二极管和锗二极管有什么异同?
首先，硅二极管的反向电流远低于锗二极管。在相同温度下，硅的杂质浓度比锗高约三个数量级，因此在相同掺杂浓度下，硅中的少数载流子浓度远低于锗，导致硅二极管的反向饱和电流（Is）非常小。其次，对于二极管的正向电流，只有当电压达到特定的门限电压（Ur）时，电流才会有明显的增长。这个门限电压也被称为...

什么是二极管的死区电压?为什么会出现死区电压?硅管和锗管的死区电压...
所谓死区电压：由于PN结内部有自建电场，电子和空穴的漂移作用，其内部本身就具有一定的电能，也就是说它的内部本身带有电荷，利用它的单向导电性，其实就是给PN结加上外部电压，破坏了它内部自建电场的平衡。在正向电压很小时，通过二极管的电流很小，只有正向电压达到某一数值Ur后，电流才明显增长。通常把...

硅二极管与锗二极管区别!
3.在反向电压下，硅管的漏电流要比锗管的漏电流小得多。开始导通后，锗管电流增大速度较慢，硅管电流增大速度相对较快 4.硅二极管反向电流远小于锗二极管反向电流，锗管为mA级，硅管为nA级。这是因为在相同温度下的ni比硅的ni高约三个数量级，因此在相同掺杂浓度下的少数硅浓度远低于少数铌的浓度...

为什么和硅相比,锗二极管受温度影响更大,和死区电压又有什么关系。_百...
锗二极管的温度性能和死区电压之间 其实内在是有很大关联的，原因是因为锗和硅禁带宽度不同。锗的禁带宽度低，所以相对不耐温，但是死区小（死区大小在数值上等于禁带宽度对应电压值加绝对温度与温度系数（负的）的乘积）。因为锗禁带宽度小，所以电子更活跃，受温度的影响更大，外在表现就是温度稳定性差...

硅管比锗管的开启电压大的原因
锗材料由于原子半径大，束缚外围电子能力差，因而本征载流子浓度大于硅材料，导致内建电场强度小于硅。若想要PN结导通，外施正向电压形成的场强大小必须首先要能够克服该内建电场，对于硅材料，克服该电场需要0.6-0.8伏，对于锗材料克服该电场需要0.1-0.3伏。这就是硅管开启电压大的原因了。

比较硅二极管与锗二极管的死区锻压、正向管压降、反向电流及反向电阻...
硅二极管死区电压约0.5伏，锗的0.1伏，正向压降硅0.6~0.7伏，锗0.2~0.3伏，硅反向电流小，耐压高，锗相反。都是这样的 在截止时稳压二极管提供可稳定电压的值 限流二极管提供电流通过的值 在导通是他们上面的压降和电流都很小 稳压二极管在三角形上面的横直线上撇下来一点 ...

什么是二极管的死区电压?为什么会出现死区电压
由于外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动的阻力，故正向电流很小，几乎为零；当正向电压超过一定数值后，内电场被大大削弱，电流增长很快。这个一定数值的正向电压称为死区电压；其大小与材料及环境温度有关。通常锗管的死区电压约为0．2 V，硅管的死区电压约为0．5 V。

硅晶体管与锗晶体管有什么异同?
硅晶体管和锗晶体管都具有电流放大作用，所不同的是硅晶体管的死区电压比锗晶体管大；硅晶体管的导通电压约为0.7V，锗晶体管的导通电压约为0.3V；硅晶体管的反向电流比锗晶体管小得多；硅晶体管允许的最高工作温度比锗晶体管高；硅晶体管比锗晶体管稳定性好。