我认为主要还是整流、逆变等环节的可控硅和IGBT等元器件的过载能力有关，但IGBT多用在逆变环节，是一种大功率的高频变流元件，因此我觉得更多的将是与整流环节的元器件过载能力有关，还有与之相匹配的平波电抗器等一些因素有关。
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第1个回答 2008-07-02
有一定的关系～～但是IGBT只是一个主要部件而已～还有其他的～～比如过压过流保护设置，电抗器，还有那个电压电流互感器等等～
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