什么是三极管深度饱和?

如题所述

第1个回答  推荐于2017-11-24
当三极管的基极电流增加而集电极电流不随着增加时就是饱和,饱和电流由集电极电阻和发射极电阻决定,饱和电流的大小与三极管无关,一般当ce电压小到0.4V时三极管就饱和了。
启动后是否直接进入饱和状态要看具体电路,放大、饱和区和放大、饱和状态是不同的概念。
基极电流乘放大倍数等于或稍大于集电极电流时是浅度饱和,远大于集电极电流时是深度饱和。在开关电路中深饱和会影响速度。
三极管具有电流放大作用,但必须要有外部电路条件相配合,即外部电路满足“发射极E正向偏置。集电极反向偏置”这一条件。三极管的输出特性渠线可以划分为三个区,即放大区、饱和区、截止区。在饱和区,饱和压降一般很小(小于1伏)本回答被提问者采纳

我问:三极管·什么是“深度饱和状态”
1.随着基极电流逐步增大,三极管的集电极电流已经不随着基极电流变化而变化;2.Ube≥Uce。这时候的状态就是“深度饱和状态”。

请问什么是三极管的饱和深度?
当三极管的基极电流增加而集电极电流不随着增加时就是饱和,假定负载电阻是1K,VCC是5V,饱和时电阻通过电流最大也就是5mA,用除以该管子的β值(假定β=100)5\/100=0.05mA=50μA,那么基极电流大于50μA就可以饱和。1.在实际工作中,常用Ib*β=V\/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V\/R算出...

为什么图中三极管工作在深度饱和状态?
三极管工作在放大区(线性区)时,Ic=β*Ib,当Ib继续增大至Ic不随着Ib增大时,三极管进入饱和区(状态),此时的Ic就是集电极饱和电流Ics、Ib就是基极饱和电流Ibs、Uce就是饱和电压Uces,Uces很小,硅管约0.3V,可以忽略,所以Ics ≈ Vcc\/Rc。图中,Ics≈12V\/4K=3mA,Ibs=Ics\/β=3mA\/80=0.0...

三极管的饱和状态请简单点说一下谢谢
饱和就是一种状态(对应的是三极管输出特性曲线中的一块区域),不过饱和严格的说是一个过程,有程度深浅之分。对于小功率三极管而言,一般在UCE<1V开始逐步进入饱和,到0.7V(UBEQ)可以认为是完全进入饱和,0.2-0.3V就是深度饱和了。

三极管的饱和 和 深度饱和有什么区别
饱和:在外加Vce= V1 不便的情况下,增大Ib 直到Ic 不再明显增大,也就是放大倍数减小,此时为饱和。深度饱和:继续增大Ib, 进入深度饱和。从放大区到饱和区再到深度饱和,基区载流子浓度越来越大,造成Toff 的增大也就是前面说的速度。

三极管的特性曲线如何分类?
三极管的的工作点进入饱和区,三极管就进入饱和状态。三极管进入饱和状态还分深度饱和之说。可以这样理解:三极管进入饱和区失去线性放大作用时可以认为三极管处于饱和状态(Q1);三极管完全推动放大作用时三极管处于深度饱和状态(Q3)。三极管输出特性曲线:该曲线表示基极电流Ib一定时,三极管输出电压Uec与输出...

三极管临界饱和与深度饱和问题
三极管处于放大状态;而当Vcb<0V时,说明三极管集电结正偏(Vbc<=Vbe=0.7V),三极管处于饱和导通状态;三极管饱和导通的深度取决于集电极电阻或基极电阻的大小,集电极电阻越大或基极电阻越小,三极管的饱和导通深度就越深,三极管完全深度饱和的条件是Vbc=Vbe=0.7V,也就是Vce=0 ...

对于三极管饱和状态的理解
2、饱和的含义:集电极电流是随着基极电流的增大而增大的,当集电极电流增大到一定程度时,再增加基极电流,集电极电流不再随着增加了,这种现象就叫做饱和。而“三极管如工作在饱和状态,那么就是双结正偏”是现象或因果关系,也不算解释。饱和的实质正是由于集电结正偏而使Ic脱离了与Ib的线性关系(请...

三极管的工作状态
一般认为UCE=UNE, 即UCB=0时, 三极管处于临界饱和状态, 当UCE<UBE时称为过饱和。三极管饱和时的管压降用UCES表示。在深度饱和时, 小功率管管压降通常小于0.3V。三极管工作在饱和区时, 发射结和集电结都处于正向偏置状态。对NPN三极管,UBE>0, UBC>0。根据三极管工作时各个电极的电位高低,就能...

三极管饱和模式工作原理
,此时的工作状态就是饱和。在图的左侧即深度饱和区Ic是一条向右上方的斜直线,此状态下基极电流远大于Ic\/β,Ic只服从于三极管的饱和状态下导通电阻rc的欧姆定律,Ic=Vce\/rc,即Vce大小决定Ic的大小,与Ib无关了;而在放大区Ic=β*Ib,即Ib的大小决定Ic的大小,与Vce无关了。

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