判断三极管的工作状态

如题所述

NPN管判断方法如下：

截止状态：Ube<0.7V； （如果是锗管则Ube<0.3V）

放大状态：Ube>0.7V，Uce>Ube；

饱和状态：Ube>0.7V，Uce<Ube。

你的图（d）中，三极管是NPN。 Ube=10.75-10=0.75V ；Uce=10.3-10=0.3V 。

这样， Ube>0.7V，Uce<Ube，所以此三极管工作在饱和状态。

PNP管判断如下：

截止状态：Ueb<0.7V； （如果是锗管则Ueb<0.3V）

放大状态：Ueb>0.7V，Uec>Ueb；

饱和状态：Ueb>0.7V，Uec<Ueb。

图（h）中，三极管是PNP，Ueb=12-11.7=0.3V；Uec=12-8=4V。

这样，如果是硅管，则 Ueb<0.7V，三极管是截止状态；如果是锗管，则 Ueb>0.3V，Uec>Ueb，三极管是放大状态。

扩展资料：

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。

三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

电子三极管 Triode （俗称电子管的一种）

双极型晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor）

J型场效应管 Junction gate FET（Field Effect Transistor）

金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称

V型槽场效应管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）

注：这三者看上去都是场效应管，其实金属氧化物半导体场效应晶体管 、V型槽沟道场效应管 是 单极（Unipolar）结构的，是和 双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（Unipolar Junction Transistor）

其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管

VMOS是在 MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改进型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管

放大原理

1、发射区向基区发射电子

电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。

2、基区中电子的扩散与复合

电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。

3、集电区收集电子

由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。

参考资料：百度百科-三极管