IGBT，GTR，VMOSFET，SCR，GTO的开关速度比较？答案

IGBT,GTR,VMOSFET,SCR,GTO的开关速度比较?答案
GTR目前其额定值已达1800V\/800A\/2kHz、1400v\/600A\/5kHz、600V\/3A\/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz）,应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序大概为：GTO<SCR<GTR<IGBT<MOSFET 另外，设计电路中选择功率器件不能只...

SCR.GTO.GTR功率MOSFET。IGBT的各自优缺点
其中属于双极器件的有：SCR、GTO、GTR以及IGBT；单极器件的是功率MOSFET。SCR是可控硅整流器，也叫晶闸管，主要用在类似于二极管的领域，其与二极管不同的是，正向工作时，可通过门极电流来触发导通。而不像是二极管过了导通电压就能直接导通，但其关断不能通过门极关断，而是将电流减小至某个值以下，或...

电力电子技术试题GTO GTR MOSFET IGBT四种晶体管的优缺点请尽量稍微的详...
IGBT(绝缘栅双极晶体管)它综合了GTR和mosfet的优点，具有电导调制效应，其通流能力很强，但是开关速度较慢，所需驱动功率大，驱动电路复杂。望采纳~~

电力电子技术试题GTO GTR MOSFET IGBT四种晶体管的优缺点请尽量稍微的详...
单管GTR饱和压降VCES低，开关速度稍快，但是电流增益β小，电流容量小，驱动功率大，用于较小容量的逆变电路。MOSFET优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。IGBT是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变...

百度知道
GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。2、可关断晶闸管GTO（Gate Turn-...

IGBT与普通的三极管有什么相同与不同之处
GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 三极管是一种控制元件，主要用来...

大功率晶体管的性能比较
1、选型考虑原则适用性（是否满足技术要求）、经济性（性价比）；2、工作频率比较SIT>MOSFET（3-10MHz）>IGBT（50KHz）>SITH>GTR（30KHz）>MCT>GTO3、功率容量比较GTO（6000V\/6000A）>SITH>MCT>IGBT（2500V\/1000A）>GTR（1800V\/400A）>SIT>功率MOSFET（1000V\/100A）4、通态电阻比较功率MOSFET>...

IGPT与IGBT有什么不同,
GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。igbt是vmos和bjt组成，vmos是V型场效应管，电压驱动器件，输入阻抗高，但是输入电容大， igbt是voms在前，bjt在后，好处是在高压大电流...

IGBT对比
在栅极电压VGE低于开启电压VGE(th)的情况下，IGBT处于关断状态。当IGBT导通后，大部分的集电极电流范围内，IC与VGE呈现线性关系。对比IGBT与MOSFET的主要优势在于热稳定性良好和安全工作区较大。然而，MOSFET的缺点是击穿电压低且工作电流较小。IGBT，作为MOSFET与GTR（功率晶管）的结合产物，具有显著特点...

IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点
GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗，关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要...