这里只介绍动态存储器(DRAM)的工作原理。
动态存储器每片只有一条输入数据线，而地址引脚只有8条。为了形成64K地址，必须在系统地址总线和芯片地址引线之间专门设计一个地址形成电路。使系统地址总线信号能分时地加到8个地址的引脚上，借助芯片内部的行锁存器、列锁存器和译码电路选定芯片内的存储单元，锁存信号也靠着外部地址电路产生。
当要从DRAM芯片中读出数据时，CPU首先将行地址加在A0-A7上，而后送出RAS锁存信号，该信号的下降沿将地址锁存在芯片内部。接着将列地址加到芯片的A0-A7上，再送CAS锁存信号，也是在信号的下降沿将列地址锁存在芯片内部。然后保持WE=1，则在CAS有效期间数据输出并保持。
当需要把数据写入芯片时，行列地址先后将RAS和CAS锁存在芯片内部，然后，WE有效，加上要写入的数据，则将该数据写入选中的存贮单元。
由于电容不可能长期保持电荷不变，必须定时对动态存储电路的各存储单元执行重读操作，以保持电荷稳定，这个过程称为动态存储器刷新。PC/XT机中DRAM的刷新是利用DMA实现的。首先应用可编程定时器8253的计数器1，每隔1⒌12μs产生一次DMA请求，该请求加在DMA控制器的0通道上。当DMA控制器0通道的请求得到响应时，DMA控制器送出到刷新地址信号，对动态存储器执行读操作，每读一次刷新一行。
温馨提示：内容为网友见解，仅供参考
第1个回答 2019-04-20
硬盘是磁性介质，就像磁带一样一旦被磁化在下一次被磁化之前其磁性是不改变的，即使格式化或者删除其储存的数据都不会丢失。硬盘具有容量大、单位容量造价低（是这几类里最低的）、速度较快（大容量不易失的存储器里数它最快了）等优点。但缺点也很明显，有机械装置所以在极端环境可靠性很低，特别是震动会导致数据丢失，且很难恢复。
ram有两种，通常所说的是指动态随机存取存储器（DRAM），也就是内存的基本单元。
DRAM的基本单元不是触发器，而是具有门控的电容，集成的电容实际上是一个pn结的结电容，容量很小，自放电率很高，所以ram储存的内容在几毫秒内就会丢失，实际应用中ram片内还集成了一个刷新电路，每隔几毫秒（不超过2ms）刷新一遍。
另一种是SRAM——静态随机存取存储器是catch（高速缓存）的基本单元，一般只有一级缓存才用它，它的原理跟触发器类似，不需刷新，速度极快，比DRAM还要快几个数量级，是唯一能与cpu同步而不需cpu等待的存储器。是几乎完美的存储器，缺点只有一个——造价不是一般高。
U盘是FLASH是最近新兴的，有很多优点，数据不易失，适应的电压宽，极限环境下也能有良好的表现，可以方便的进行电擦除与重写，但速度不快，不过目前它的速度因工艺改进也越来越快了，不过跟硬盘比还有不小差距，另外读写速度不一致也是一个主要缺点，限制的它的使用范围，实际对它的归类还是ROM.
以上几类速度SRAM>DRAM>硬盘>FLASH
单位容量造价硬盘<FLASH<DRAM<SRAM
ram有两种，通常所说的是指动态随机存取存储器（DRAM），也就是内存的基本单元。
DRAM的基本单元不是触发器，而是具有门控的电容，集成的电容实际上是一个pn结的结电容，容量很小，自放电率很高，所以ram储存的内容在几毫秒内就会丢失，实际应用中ram片内还集成了一个刷新电路，每隔几毫秒（不超过2ms）刷新一遍。
另一种是SRAM——静态随机存取存储器是catch（高速缓存）的基本单元，一般只有一级缓存才用它，它的原理跟触发器类似，不需刷新，速度极快，比DRAM还要快几个数量级，是唯一能与cpu同步而不需cpu等待的存储器。是几乎完美的存储器，缺点只有一个——造价不是一般高。
U盘是FLASH是最近新兴的，有很多优点，数据不易失，适应的电压宽，极限环境下也能有良好的表现，可以方便的进行电擦除与重写，但速度不快，不过目前它的速度因工艺改进也越来越快了，不过跟硬盘比还有不小差距，另外读写速度不一致也是一个主要缺点，限制的它的使用范围，实际对它的归类还是ROM.
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